Fig. 1. Cubic-phase inorganic halide perovskite structures^［33］. （a） ABX₃-type cubic single perovskite structure， where A-site cations are surrounded by corner-sharing B²⁺X₆ octahedra； （b） A₂B⁺B³⁺X₆-type double perovskite structure， where A-site cations are surrounded by alternating B⁺X₆ and B³⁺X₆ octahedra

Fig. 2. Lattice registration modes in epitaxial growth^［37］. （a） Commensurate registry； coincident registry （b） and incommensurate registry （c）. Coincident registry and incommensurate registry belong to the “quasiepitaxial” regime due to their higher lattice mismatch

Fig. 3. Epitaxial thin films of CsSnBr₃ and CsSnI₃. （a） In situ reflection high-energy electron diffraction characterization of cubic-phase CsSnBr₃ perovskite film during epitaxial growth on NaCl substrate； （b） top-view and side-view images of cubic-phase CsSnBr₃ on epitaxial thin films^［41］； （c） reflection high-energy electron diffraction patterns of the KCl substrate and CsSnI₃； （d） pole figure of CsSnI₃ epitaxial film^［42］； （e） XRD scans of CsSnBr₃ and CsPbBr₃ epitaxial films， left insets： optical photographs of 1 cm×1 cm epitaxial films. Right inset： rocking curve of the reflection for CsSnBr₃ film； （f） SEM images of halide perovskite epitaxial films； （g） photo-dember effect in CsPbBr₃ epitaxial thin films， showing the electron-hole concentration distribution along the film thickness direction at different time points after photoexcitation， the inset illustrates the distinct transport trajectories of fast and slow carriers using a damped cosine function

Fig. 4. Epitaxial growth of CsPbBr₃ thin films on STO substrates^［44］. （a） Schematic illustration of lattice matching between CsPbBr₃ （100） and STO （100） planes； （b） XRD patterns of epitaxially grown CsPbBr₃ film， inset shows a magnified view of the 13°~32° range for the CsPbBr₃/STO （100） sample； （c） optical image of CsPbBr₃ nanosheets； （d） SEM image of CsPbBr₃ epitaxial film

Fig. 5. （a） Reciprocal space mapping of the CsPbBr₃ thin film and NaCl （224） peak in the CsPbBr₃/graphene/NaCl epitaxial heterostructure^［50］； （b） top： SEM image and bottom： optical photograph of epitaxial CsPbBr₃ films on Graphene /CaF₂^［50］； （c） schematic illustration of atomic nucleation processes during the initial stages of ionic epitaxy and remote epitaxy^［50］； （d） schematic illustration of remote epitaxial growth of perovskites using a sapphire substrate^［49］； （e） TEM image of epitaxial CsPbBr₃ film^［49］； （f） optical images of epitaxial perovskite films （CsPbCl₃， CsPbCl_1.3Br_1.7， CsPbBr₃， CsPbBr_2.1I_0.9， and CsPbBrI₂）^［49］； （g） schematic diagram of the perovskite micro-LED display； （h） static image from the perovskite micro-LED display； （i） video frame of the perovskite micro-LED display

Fig. 6. Fabrication of large-area CsPbBr₃ perovskite films via magnetron sputtering ^［59］. （a） Photograph and （b） schematic diagram of magnetron-sputtered large-area CsPbBr₃ films； （c） ultrafast dynamics study and （d） transient absorption spectra at different delay times for intrinsic CsPbBr₃ films， demonstrating the absence of defect states； （e） absorption spectra； （f） photoluminescence spectra， and fluorescence lifetime decay profiles of intrinsic films； （g） temperature-dependent resistivity measurements and （h） thermal activation model fitting for CsPbBr₃ films， yielding an activation energy of 2.24 eV

Fig. 7. （a） XRD patterns of epitaxial films with varying halide ratios^［51］， （b） reciprocal space mapping of the CsPbIBr₂ film along the （001） orientation^［51］， （c） steady-state photoluminescence spectra of CsPbI₂Br films deposited on different substrates^［51］， （d） energy band diagrams of the p-Si/n-CsPbBr₃ epitaxial film heterojunction under 520 nm and 650 nm laser illumination^［53］， （e） cross-sectional TEM image of the CsPbBr₃ film on a Si substrate， and magnified TEM view of the white-boxed region， revealing an interface between Si and CsPbBr₃ with a ~2 nm transition layer^［53］， （f） I-V curves of the p-Si/n-CsPbBr₃ epitaxial heterojunction photodetector^［53］； （g） photocurrent and external quantum efficiency curve of the p-Si/n-CsPbBr₃ photodetector^［53］

Fig. 8. Double perovskite Cs₂AgBiBr₆ epitaxial films and photodetectors^［54］. （a） Schematic illustration of lattice matching between the Cs₂AgBiBr₆ （100） and STO （100） planes； （b） reciprocal space mapping of the epitaxial Cs₂AgBiBr₆ film along the （100） orientation； （c） SEM image of the epitaxial Cs₂AgBiBr₆ film； （d） schematic of the optoelectronic device based on the Cs₂AgBiBr₆ epitaxial film； （e） I-V curves of device at varying irradiation power densities

Fig. 9. （a） Optical images of the α-FAPbI₃ epitaxial film. Scale bar： 4 mm^［63］，（b） cross-sectional SEM image of the α-FAPbI₃ epitaxial film. Scale bar： 2 μm^［63］， （c） （104） asymmetric reciprocal space mapping of α-FAPbI₃ on different substrates^［63］， （d） I-V characteristics of the Au/α-FAPbI₃/ITO photoconductive structure photodetector^［63］， （e） SEM image of CsPbBr₃ on STO （100）^［64］， （f） SEM image of PbI₂ on Au/Si （111）^［64］， （g） optical image of NaCl on Au/Ag/Si （100）^［64］

Fig. 10. （a） SEM image and （b） pole figure of epitaxial CsPbBr₃ films^［55］； （c） FET device structure schematic diagram^［55］； （d） scan transfer curves of the FET device^［55］； （e） top： optical image of a Cs₃Bi₂Br₉ single-crystal substrate^［56］； bottom： optical image of the heterostructure； （f） XRD pole figure of the epitaxial Cs₂AgBiBr₆ single-crystal film along the （001） orientation， （g） dark current drift of heterostructure and Cs₃Bi₂Br₉ under an electric field of 660 V·mm^-1； （h） current density versus dose rate dependence of the heterostructure detector under varying electric fields^［56］