Fig. 1. Advancements process in halide perovskite materials for high-energy radiation detection^{［13，16-19，21-24］}

Fig. 2. Intrinsic point defect energy levels calculated by HSE+SOC^［69］

Fig. 3. Point defects in CsPbBr₃ charactered using thermally stimulated current （TSC） technology^{［46，70］}. （a） Melt method； （b） solution method

Fig. 4. Comparison of impurity content in CsPbBr₃ crystal grown after purification of raw materials^{［46，70］}. （a） Purified using a solution recrystallization method； （b） purified by zone refining

Fig. 5. Calculated energy profile diagram of the ionic migration path and their migration paths for Cs⁺ and Br⁻^［72］

Fig. 6. Two twin structures in CsPbBr₃ crystals^［74］. （a） Schematic diagrams of the （121） reflection twin， illustrating the unit cell correspondence and interface matching relationship； （b） schematic diagrams of the 90° rotation twin along the ［101］ direction， illustrating the unit cell correspondence and interface matching relationship

Fig. 7. Schematic illustration of crystal structures during the structural phase transition in CsPbBr₃

Fig. 8. （a） In situ optical microscopy images of CsPbBr₃ single-crystal thin film before and after phase transition； （b）， （c） external quantum efficiency， and specific detectivity performance^［76］

Fig. 9. Inclusion phases in melt-grown CsPbBr₃ crystals^［52］. SEM images taken on the solid-liquid interface of QC-1 （a）， QC-2 （b）， and QC-3 （c）， showing the interfaces were gradually flattened， and high magnification SEM images taken on the polycrystalline regions of QC-1 （d）， QC-2 （e）， and QC-3 （f）， respectively， the red lines outline the secondary phases^［52］

Fig. 10. Inclusion phases in solution-grown CsPbBr₃ crystals^［78］. （a）~（c） Typical SEM images of well-defined SP defects with regular polyhedral morphologies； （d）~（f） ideal crystal model of SP defects bounded by low index matrix facets （100） and （110） based on the observed actual morphology； （g） morphological evolution schematic of the SP defects

Fig. 11. （a）， （b） SP particles distribution and size histogram in etched CPB-1； （c）， （d） SP particles in etched CPB-2， （e） I-t curves for CPB-1 and CPB-2 at 1 V； （f） schematic diagram of carrier transport in CsPbBr₃ matrix and SP particles under ²⁴¹Am @5.48 MeV α particles irradiation； （g）， （h） carrier mobility by linear fitting for CPB-1 and CPB-2； （i） α particles induced pulse shapes and the rise time （t_r） under the same electric field strength （200 V·cm^-1） for CPB-1 and CPB-2^［77］