Fig. 1. Schematic diagram of X-ray detection principles. （a） Direct X-ray detection； （b） indirect X-ray detection

Fig. 2. Schematic diagram of method for constructing the active of HPs X-ray detectors. （a） Spin-coating method； （b） blade-coating method； （c） spray coating method； （d） inkjet printing method； （e） pressing method； （f） vacuum evaporation method； （g） close-space sublimation method

Fig. 3. Fabrication and characterization of X-ray detectors constructed via spin-coating method. Schematic diagram of the fabrication process （a） and cross-sectional SEM image of the polymer-encapsulated Cs₄PbI₆ device （b）^［58］； （c） X-ray imaging process and images based on PAZE-NH₄Br₃·H₂O film； （d） morphology SEM images under different magnifications^［59］； （e） structural diagram of the porous PET substrate used for MFP； （f） cross-sectional SEM image of MFP based on MAPbI₃^［63］； （g） schematic diagram of X-ray imaging using Cs₂ZrCl₆@PDMS flexible scintillator films and corresponding X-ray images^［67］； （h） schematic illustration of hot-casting of quasi-2D films on hole transport layer substrate prepared via spin-coating method； （i） cross-sectional SEM images of films cast form quasi-2D and 3D crystal structures^［68］； （j） cross-sectional SEM images of 2D-RP films with different thickness； （k） CIWAXS maps of 2D-RP films with different thickness^［69］

Fig. 4. Characterization of X-ray detectors fabricated via blade-coating method. （a） Morphology SEM images of MA₃Bi₂I₉ thick films with different concentrations of MACl additive， and cross-sectional image of the film with 10% MACl added； （b） dose rate-current density curves of device based on MA₃Bi₂I₉ thick film with 10% MACl under different bias voltage^［72］； （c） cross-sectional （left） and morphology （right） SEM images of FAMAC thick film^［74］； （d） morphology （left） and cross-sectional （right） SEM images of MAPbI₃ thick films with and without MASCN additive^［77］； （e） schematic diagram of the crystallization process of wet films via spin-coating and blade-coating method^［78］； （f） schematic diagram of the crystallization process for the wet films after blade-coating under different atmospheric conditions； （g） morphology （up） and cross-sectional （down） SEM images of thick films under different conditions； （h） X-ray images of metal letters at different dose rate^［80］； （i） in situ optical microscopy images of the crystallization process of MTP₂MnBr₄ andBPP₂MnBr₄^［81］； （j） illustration of MAPbI₃ layer subjected to tensile or compressive stress induced by thermal changes on flexible and rigid substrates， respectively^［84］

Fig. 5. X-ray detectors based on inkjet printing and spraying methods and their characterization. Schematic diagram （a） and optical photograph （b） of the X-ray detection array based on CsPbI₃ QDs via inkjet printing on a SiO₂/Si wafer^［87］； （c） cross-sectional SEM images of TCP devices printed on ITO substrates spin-coated with NiO _x （left） and c-PEDOT∶PSS （right）^［88］； （d） microscope images of different patterns of MAPbI₃ via inkjet printing method^［89］； （e） cross-sectional （top） and morphology （middle） SEM images of CsPbI₂Br film with different cycles， constructed by the ALS method， and a schematic illustration of crystallization （bottom）^［78］； （f） schematic diagram and cross-sectional and morphology SEM images of Cs₃Bi₂I₉ thick films prepared by one step spraying （top） and two steps spraying （bottom）^［90］； （g） in situ optical microscope images of MAPbI₃ crystallization process in different DIW ink environments； （h） schematic diagram of the DIW crystallization process and final cross-sectional SEM image； （i） cross-sectional SEM images of MAPbI₃ films printed by DIW method with different printing counts （form left to right：1~5 times）^［91］

Fig. 6. Characterization of X-ray detectors via pressing method. （a） Cross-sectional SEM images of the MAPbI₃ with a precusor molar ratio of PbI₂∶MAI=1∶1.15 during wafer formation at different pressing times （a-1 to a-6 represent 0， 5， 10， 20， 30， and 40 min respectively）； （b） relationship between the wafer thickness and the raw material mass， along with cross-sectional SEM images of wafer with different thickness^［93］； optical image （c） and SEM morphology （left） and cross-sectional （right） images （d） of MA₃Bi₂I₉ wafer^［97］； （e） optical image of （F-PEA）₃BiI₆ wafer； （f） schematic illustration of crystal cell reorientation under pressure for （F-PEA） ₃BiI₆^［98］； （g） TEM image of Cs₄PbBr₆ MCs， along with the corresponding selected-area electron diffraction pattern； （h） SEM images of Cs₄PbBr₆ MCs with different toluene injection speed； （i） SEM morphology （left） and cross-sectional （right） images of Cs₄PbBr₆ wafer^［99］； optical image （j） and SEM morphology （left） and cross-sectional （right） images （k） of （C₈H₂₀N）₂Cu₂Br₄ wafer； （l） optical image of the integrated circuit board used for imaging （left） and corresponding X-ray image （right）^［100］； （m） optical images of MAPbI₃ wafers at different pressing time， along with morphology （left 1 and 3） and cross-sectional （left 2 and 4） SEM images of opaque and transparent wafers^［101］

Fig. 7. Crystallization control and performance of X-ray detectors via vacuum deposition. SEM images of Cs₃Cu₂I₅ film via vacuum deposition （a）， and MTF-spatial resolution function curve measured by the slanted-edge method （b） ^［105］； SEM （left） and cross-sectional （right） images of Cs₃Cu₂Cl₅ film via sequential vacuum deposition （c）， and MTF curves measured by the slanted-edge method （d） ^［106］； （e） schematic illustration of light transmission and scattering within scintillator layers^［107］； （f） SEM images of surfaces of CsI∶Tl film with different deposition stages； （g） film formation process of the CsI∶Tl； （h） generation of new crystal orientation in holes and cracks^［109］； SEM images under different manifications （left 1 and 2） and cross-sectional image （right） （i）， and MTF-curves measured by the slanted-edge method （j） ^［110］； （k） SEM （left） and cross-sectional （right） images of FAPbI₃ film； （l） schematic illustration of the device structure^［111］； （m） SEM image of 400 nm-thick CsPbI₂Br film^［112］； SEM cross-sectional image of a MAPbI₃ based photodiode （n） and schematic of the device structure （o）^［113］

Fig. 8. Crystallization control and scintillator performance via the near-space sublimation process. （a） SEM cross-sectional and morphology images of Rb₂AgBr₃ thick films prepared under different temperature conditions； （b） schematic illustration of dynamic imaging by Rb₂AgBr₃ thick film； （c） dynamic imaging images of chicken wings^［114］； （d） cross-sectional SEM image of CsCu₂I₃ thick film； （e） schemic diagram of the seed crystal screening strategy； （f） SEM （1） and cross-sectional （2~4） images corresponding to different crystallization stages in the seed crystal screening strategy； （g） schematic of CsCu₂I₃ scintillator detector^［115］； （h） schematic showing differences in dangling bonds and afterglow effects induced by different crystal structures； （i） afterglow comparison images under X-ray excitation； （j） cross-sectional SEM image and XRD pattern of Cs₅Cu₃Cl₆I₂ thick film with orientation growth； （k） demonstration images of angiography^［116］