Fig. 1. Semiconductor applications related to power and frequency^［1］

Fig. 2. Schematic diagram of β-Ga₂O₃ cell structure^［6］ （a） and its energy band structure diagram^［10］ （b）

Fig. 3. Influence of material characteristics on the performance of radio frequency devices and communication systems^［12］

Fig. 4. Theoretical differences in breakdown voltage and frequency characteristics of mainstream semiconductors， according to JFOM

Fig. 5. Several techniques that contribute to the heat dissipation of gallium oxide. （a） Mechanical exfoliation^［55］； （b） smart-cut^［56］； （c） flip-chip package^［60］

Fig. 6. （a） A cross section schematic and a focused ion beam （FIB） cross sectional image of β-Ga₂O₃ MOSFET device； （b） large-signal power properties of β-Ga₂O₃ MOSFET at the frequency of 0.8 GHz^［61］

Fig. 7. （a） A cross section schematic of field-plated β-Ga₂O₃ MOSFET device； （b） large-signal power properties of field-plated β-Ga₂O₃ MOSFET at the frequency of 1 GHz^［62］

Fig. 8. Detla-doped β-Ga₂O₃ MOSFET^［64］. （a） A cross section schematic； （b） scanning electron microscope image of T-shaped gate structure； （c） small-signal frequency characteristics

Fig. 9. L-band β-Ga₂O₃ MOSFET^［66］. （a） Schematic of the devic； （b） large-signal characteristics in pulsed mode. O₂-annealing processed β-Ga₂O₃ MOSFET： （c） cross-sectional schematic of the device； （d） power sweep curve

Fig. 10. Schematic of device structure and small signal characteristics of three β-Ga₂O₃ MOSFETs with different structures^［69］. （a），（b） 2DEG-like channel； （c），（d） thin-channel T-shaped gate structure； （e），（f） quasi-2D high mobility channel

Fig. 11. Heterointegrated Ga₂O₃-on-SiC MOSFETs^［73］. （a） Schematic of device structure； （b） small-signal frequency characteristics； （c） large-signal characteristics at the frequency of 2 GHz

Fig. 12. β-Ga₂O₃-on-SiC RF MOSFET with heavily doped channel^［74］. （a） Schematic of device structure； （b） small-signal frequency characteristics； （c） large-signal characteristics at the frequency of 2 GHz

Fig. 13. β-Ga₂O₃-on-SiC RF MOSFET with bi-layer gate dielectric^［75］. （a） Schematic of device structure； （b） small-signal frequency characteristics； （c） and （d） large-signal characteristics at V_DS = 20 V and V_DS = 50 V

Fig. 14. Internationally representative works of Ga₂O₃ RF devices with β-（Al_xGa_1-x）₂O₃/Ga₂O₃ material structure

Fig. 15. Performance comparison between Ga₂O₃ RF devices and GaN RF devices. （a） Frequency characteristics； （b） power characteristics （sub-6 GHz）