Fig. 1. 电磁波大气衰减图（大气压力为101.300 kPa、温度为15℃、水汽密度为7.5g/m³）

Fig. 2. 探测器结构图

Fig. 3. NMOS场效应晶体管沟道中太赫兹波衰减仿真图

Fig. 4. 仿真的归一化功率和辐射效率随金属层的变化曲线

Fig. 5. （a）贴片天线的仿真模型,（b）模型（a）的归一化功率及辐射效率仿真结果

Fig. 6. 芯片照片及3.0 THz天线照片（左图标记部分）

Fig. 7. 扫描光源光斑实验装置示意图

Fig. 8. （a）单像素偏置在0.23 V时的光斑扫描图（20 μm的扫描步长）,（b）为光斑的水平横截面图

Fig. 9. 芯片噪声电压测量示意图

Fig. 10. [in Chinese]

Fig. 11. 太赫兹透射成像系统示意图

Fig. 12. 扫描的牙签的成像图（100 μm 步长）,（a）为牙签的实物照片,（b）为牙签扫描结果,（c）显示了扫描的尺寸,（d）是（b）的单行数据显示结果

Fig. 13. 使用CMOS探测器扫描的树叶的成像图（100 μm 步长）,（a）为待成像树叶,（b）为扫描成像结果,（c）为（b）的局部放大结果

Fig. 14. 高莱探测器树叶扫描成像图（100 μm 步长），（a）为THz-QCL打开时采集到的数据即树叶加背底,（b）为THz-QCL关闭状态采集到的数据即背底，（c）为图（a）减去图（b）得到的树叶图，（d）为采用CMOS探测器扫描得到的树叶图