Optoelectronic Technology, Volume. 44, Issue 4, 328(2024)
Study on PR Remain and Leakage Current in Channel Dry Etching of HADS Array Substrate
Figures & Tables(16)
Fig. 4. EDX element analysis of PR remain（Insets are SEM illustrations）
Fig. 11. Micrographs（a）, （b）and FIB images（c）, （d）before and after improvement of PR remain
Table 1. Related processes testing of PR remain
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实验 实验内容 光刻胶残留程度 主条件 量产工艺 L4 1 光刻胶灰化工艺跳过 L0~L1 2 主刻蚀工艺跳过 L3 3 后处理跳过 L2.5 4 光刻胶灰化时间增加10 s L5+ 5 主刻蚀时间增加10 s L4.5 6 后处理时间增加5 s L4.5 7 第一电极层跳过 L1
Table 1. Images of PR remain related processes
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测试 沟道干刻→光刻胶剥离后 钝化层成膜后 自动光学检测 聚焦离子束
Table 2. Test results of PR undercut improvement
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条件 源极/偏置
功率/kW
压力
/Pa
SF6/O2
比例
距离
d/μm
光刻胶缺
口等级
主条件 2/1 24 50/2 000 -0.11 Lv5 1 2/0 24 50/2 000 -0.15 Lv5+ 2 2/2 24 50/2 000 0.02 Lv1 3 1/2 24 50/2 000 0.06 Lv1 4 2/1 24 0/2 000 -0.07 Lv3 5 2/2 16 50/2 000 0.07 Lv0 6 2/2 8 50/2 000 0.13 Lv0
Table 3. Ashing time test for PR undercut improvement
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条件 灰化时间/s 光刻胶缺口等级 台阶长度/μm 高温光照
漏电流/pA
主条件 45 L5 0 14.6 改善
条件
5‑1 10 L0 0.32 78.4 5‑2 20 L0 0.15 40.1 5‑3 30 L1 0.06 16.5
Table 4. Experimental design of post‑treatment
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因子 低水平 高水平 中心值 偏置功率/W 0 1 000 500 压力/Pa 4 26.6 15.3 O2/SF6比例 2 10 6
Table 5. Comparison of process parameters and indexes before and after improvement of channel dry etching
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沟道刻蚀 参数/指标 改善前 改善后 光刻胶灰化
工艺
源极/偏置功率/kW 2/1 2/2 压力/Pa 24 16 灰化时间/s 40~50 15~30 光刻胶缺口程度 L5 L0~L1 台阶长度/μm 0 0.1~0.2 后处理
工艺
偏置功率/kW 0 1 压力/Pa 26.6 4 O2/SF6比例 16 10
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Xiaofei YANG, Jia MENG, Lei SU, Yang LI, Wen WAN, Yaojun LYU, Juncai WANG, Jinyang DENG. Study on PR Remain and Leakage Current in Channel Dry Etching of HADS Array Substrate[J]. Optoelectronic Technology, 2024, 44(4): 328
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Category:
Received: Jan. 22, 2024
Accepted: --
Published Online: Mar. 5, 2025
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