Fig. 1. （a） Schematic of a traditional infrared epitaxial blocked impurity band （BIB） detector， （b） 3D， （c） 2D schematics of the metasurface-based antireflection structure for the BIB detector， （d） An optical microscope image ， （e） a scanning electron microscopy （SEM） image of the metasurface-based antireflection structure

Fig. 2. （a） The reflection spectra of the traditional infrared BIB detector， （b） The reflection spectra of the metasurfaced-based infrared BIB detector Note： Blue solid lines is numerical simulated results； Red dot lines is experimental results

Fig. 3. （a） refractive index n and （b） extinction coefficient k of silicon with different doping concentrations

Fig. 4. Measured （a） and simulated （b） reflection spectra of metasurfaced-based infrared BIB detector for the four different incidental azimuthal angles

Fig. 5. Electromagnetic field distributions for the metasurface-based BIB detector at the normal incidence. Left column： electric field； Right column： magnetic field. （a） and （b） at the wavelength of 20 μm， （c） and （d） at the wavelength of 27.5 μm， （e） and （f） at the wavelength of 40 μm.