Fig. 1. Schematic diagram of the ridge waveguide structure

Fig. 2. The effective refractive index difference between TE-like and TM-like modes as a function of etching depth

Fig. 3. Variation of TE_1X and TM_1X higher-order mode confinement factors with etching depth： （a） TE-like mode；（b） TM-like mode

Fig. 4. Variation of TE₀₀ and TM₀₀ mode confinement factors with etching depth

Fig. 5. Confinement factors of TE_0X and TM_0X modes vary with etching depth：（a） TE-like mode；（b） TM-like mode

Fig. 6. Optical field distribution of TE-like mode：（a） 1.05 μm etching depth；（b） 2.2 μm etching depth

Fig. 7. Variation of TE-like and TM-like confinement factors with etching depth and ridge width：（a） TE/TM fundamental mode confinement factor ratio；（b） TE/TM first order mode confinement factor ratio

Fig. 8. Scanning electron microscope （SEM） test image of the ridge waveguide cross section

Fig. 9. Polarization extinction ratio and beam quality at different etching depths： （a） polarization extinction ratio； （b） second moment beam quality

Fig. 10. Distribution of near-field modes at different etching depths： （a） 1.05 μm etching depth；（b） 2.2 μm etching depth

Fig. 11. Variation of modes with current （carrier density） at different etching depths： （a），（c） TE-like，TM-like near-field at 1.05 μm etching depth；（b），（d） TE-like，TM-like near-field at 2.2 μm etching depth

Fig. 12. Variation of modes with pulse width （junction temperature） at different etching depths： （a），（c） TE-like，TM-like near-field at 1.05 μm etching depth；（b），（d） TE-like，TM-like near-field at 2.2 μm etching depth

Fig. 13. Polarization extinction ratio and beam quality under different ridge widths： （a） polarization extinction ratio；（b） second moment beam quality

Fig. 14. Distribution of near-field modes with different ridge widths： （a） 3.0 μm ridge width；（b） 4.0 μm ridge width