Fig. 1. Solubility curves and principle diagrams of crystal growth by solution method^［1⁃3］

Fig. 2. Perovskite crystals grown by solution methods. （a）~（d） Perovskite crystals grown by solution temperature-lowering method^［4⁃6］； （e）~（j） perovskite crystals grown by inverse temperature crystallization^{［1，13⁃15］}

Fig. 3. Large perovskite single crystals growth by improved technologies^{［16，18⁃20］}. （a） Space confinement crystallization for single crystals with adjustable thickness； （b） temperature and speed controlled antisolvent diffusion crystallization for MAPbBr₃ single crystal； （c） steady self-supply solution crystallization for MAPbI₃ single crystal； （d） close-to-equilibrium crystallization for FAPbBr₃ single crystal

Fig. 4. Progress in the growth of CsPbBr₃ single crystals by melt method^{［25⁃31］}

Fig. 5. Inorganic perovskite crystals grown by vertical Bridgman method^{［32，28，36］}. （a） Mixed-halide CsPbBr_3-n I _{nperovskite crystals； （b） mixed-halide Cs3Bi2I9-n Br n perovskite crystals； （c） mixed cation Cs1-m Rb m PbBr3 single crystals}

Fig. 6. Methods of restraining ion migration^{［37⁃40］}. （a） Detecting novel low dimensional perovskite materials； （b） surface passivation； （c） applying reverse bias； （d） constructing the Schottky junction to form a barrier

Fig. 7. Device design of γ-ray detection^{［40，48⁃49，52］}. （a） Metal contacts； （b） electron and hole transport layers； （c） device geometry