Fig. 1. （a） Molecular formula of DPP-4Si； （b） Molecular formula of SEBS； （c） Transfer characteristic curves of OFET in contact with dielectric layer on the upper surface of DPP-4Si/SEBS blend films with different ratios； （d） Transfer characteristic curves of OFET in contact with dielectric layer on the lower surface of DPP-4Si/SEBS blend films with different ratios.

Fig. 2. （a） Surface energy of upper and lower surfaces； （b） Schematic diagram of upward surface migration of DPP-4Si.

Fig. 3. Phase diagram of the surface of films with different blending ratios. （a） Pure SEBS； （b） 1∶9； （c） 3∶7； （d） 5∶5； （e） 7∶3； （f） 10∶0 （Pure DPP-4Si）.

Fig. 4. （a） Atomic force microscopy images of pure DPP-4Si and a DPP-4Si/SEBS blend ratio of 5∶5 under different strains； （b） Transfer characteristic curves of the stretching perpendicular to the channel direction of the film with a DPP-4Si/SEBS blending ratio of 5∶5； （c） Transfer characteristic curves of a film with a DPP-4Si/SEBS blending ratio of 5∶5 stretched parallel to the channel direction.

Fig. 5. （a） Schematic diagram of the structure of a fully stretchable OFET； （b） Transfer characteristic curve of fully stretchable OFET after 100% strain； （c） Variation of maximum current of fully stretchable OFET after different strains.