[1] S NAKAMURA. The roles of structural imperfections in InGaN-based blue light-emitting diodes and laser diodes. Science, 281, 955-961(1998).

[2] F A PONCE, D P BOUR. Nitride-based semiconductors for blue and green light-emitting devices. Nature, 386, 351-359(1997).

[3] S NAKAMURA, T MUKAI, M SENOH. Candela-class high-brightness InGaN/AlGaN double-heterostructure blue-light-emitting diodes. Applied Physics Letters, 64, 1687-1689(1994).

[4] X LI, Y WANG, Y WANG et al. Yb-doped passively mode-locked fiber laser based on a single wall carbon nanotubes wallpaper absorber. Optics & Laser Technology, 47, 144-147(2013).

[5] J J WIERER, J Y TSAO, D S SIZOV. Comparison between blue lasers and light-emitting diodes for future solid-state lighting. Laser & Photonics Reviews, 7, 963-993(2013).

[6] [6] 冯勇， 张文喜， 伍洲， 等. 半导体激光器电流调制实现短相干光源［J］. 光学 精密工程， 2021， 29（6）： 1321-1328. doi: 10.37188/ope.20212906.1321FENGY， ZHANGW X， WUZ， et al. Short coherent light source based on current modulation in semiconductor lasers［J］. Opt. Precision Eng.， 2021， 29（6）： 1321-1328.（in Chinese）. doi: 10.37188/ope.20212906.1321

[7] A POURHASHEMI, R M FARRELL, D A COHEN et al. High-power blue laser diodes with indium tin oxide cladding on semipolar （2021） GaN substrates. Applied Physics Letters, 106, 111105(2015).

[8] Y NAKATSU, Y NAGAO, T HIRAO et al. Blue and green ingan semiconductor lasers as light sources for displays, 11280, 81-87(2020).

[9] [9] 胡磊， 李德尧， 刘建平， 等. 连续工作7.5 W高功率氮化镓基蓝光激光器（特邀）［J］. 光子学报， 2022， 51（2）：107-112. doi: 10.3788/gzxb20225102.0251209HUL， LID Y， LIUJ P， et al. High-power GaN-based blue laser diodes with 7.5 W of light output power under continuous-wave operation（invited）［J］. Acta Photonica Sinica， 2022， 51（2）：107-112.（in Chinese）. doi: 10.3788/gzxb20225102.0251209

[10] H KÖNIG, S GERHARD et al. Blue high power ingan semiconductor laser diodes： design optimization of laser bars and single emitters for best performance and reliability, 11262, 156-164(2020).

[11] [11] 陈良惠， 杨国文， 刘育衔. 半导体激光器研究进展［J］. 中国激光， 2020， 47（5）： 0500001. doi: 10.3788/cjl202047.0500001CHENL H， YANGG W， LIUY X. Development of semiconductor lasers［J］. Chinese Journal of Lasers， 2020， 47（5）： 0500001.（in Chinese）. doi: 10.3788/cjl202047.0500001

[12] [12] 吴顺华， 刘国军， 王贞福， 等. 低温808nm高效率半导体激光器［J］. 发光学报， 2022， 43（5）： 786-795. doi: 10.37188/cjl.20220025WUS H， LIUG J， WANGZ F， et al. Low temperature 808 nm high efficiency semiconductor laser［J］. Chinese Journal of Luminescence， 2022， 43（5）： 786-795.（in Chinese）. doi: 10.37188/cjl.20220025

[13] [13] 吴鹏. 百瓦级高功率蓝光半导体激光器研究［D］. 北京： 北京工业大学， 2018.WUP. Study on 100W Level High-Power Blue Diode Laser［D］. Beijing： Beijing University of Technology， 2018. （in Chinese）

[14] [14] 王立军， 宁永强， 秦莉， 等. 大功率半导体激光器研究进展［J］. 发光学报， 2015， 36（1）： 1-19. doi: 10.3788/fgxb20153601.0001bWANGL J， NINGY Q， QINL， et al. Development of high power diode laser［J］. Chinese Journal of Luminescence， 2015， 36（1）： 1-19.（in Chinese）. doi: 10.3788/fgxb20153601.0001b

[15] X LIU, W ZHAO, L XIONG et al. Packaging of High Power Semiconductor Lasers(2015).

[16] F BACHMANN, P LOOSEN, R POPRAWE et al. High power diode lasers： technolohy and applications. Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering, 3888(2007).

[17] [17] 张秋月， 井红旗， 袁庆贺， 等. 管式炉中半导体激光器巴条封装［J］. 激光与光电子学进展， 2019， 56（9）： 091402. doi: 10.3788/lop56.091402ZHANGQ Y， JINGH Q， YUANQ H， et al. Packaging of semiconductor laser bars in tube furnace［J］. Laser & Optoelectronics Progress， 2019， 56（9）： 091402.（in Chinese）. doi: 10.3788/lop56.091402

[18] [18] 赵梓涵. 808 nm高功率半导体激光器封装技术研究［D］. 长春：长春理工大学， 2017.ZHAOZ H. Research on Packaging Technology of 808nm High Power Semiconductor Laser［D］ Chanchun： Chanchun University of Technology， 2017.（in Chinese）

[19] [19] 张哲铭. 半导体激光器封装应力研究［D］. 长春： 长春理工大学， 2018. doi: 10.25103/jestr.106.14ZHANGZ M. Packaging Stress Study of Semiconductor Lasers［D］. Changchun： Changchun University of Science and Technology， 2018. （in Chinese）. doi: 10.25103/jestr.106.14