[1] [1] Y. Qu, S. Yuan, C. Liu, B. Bo, G. Liu, and H. Jiang, IEEE Photon. Technol. Lett. 16, 389 (2004).

[2] [2] R. K. Huang, B. Chann, L. J. Missaggia, J. P. Donnelly, H. T. Harris, G. W. Turner, A. K. Goyal, T. Y. Fan, and A. Sanchez-Rubio, IEEE Photon. Technol. Lett. 19, 209(2007).

[3] [3] G. Fang, J. Xiao, X. Ma, X. Feng, X. Wang, Y. Liu, B. Liu, M. Tan, and Y. Lan, Chin. J. Semicond. (in Chinese) 23, 809 (2002).

[4] [4] J. K. Wade, L. J. Mawst, D. Botez, and J. A. Morris, Electron. Lett. 34, 1100 (1998).

[5] [5] F. Dittmar, B. Sumpf, J. Fricke, G. Erbert, and G. Trankle, IEEE Photon. Technol. Lett. 18, 601 (2006).

[6] [6] A. Knauer, G. Erbert, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, and M. Weyers, Semicond. Sci. Technol. 20, 621 (2005).

[7] [7] J. Li, J. Han, J. Deng, D. Zou, and G. Shen, Chinese J. Lasers (in Chinese) 33, 1159 (2006).

[8] [8] M. Buda, W. C. van der Vleuten, G. Iordache, G. A. Acket, T. G. van der Roer, C. M. van Es, B. H. van Roy, and E. Smalbrugge, IEEE Photon. Technol. Lett. 11, 161 (1999).

[9] [9] K. Shigihara, K. Kawasaki, Y. Yoshida, S. Yamamura, T. Yagi, and E. Omura, IEEE J. Quantum Electron. 38, 1081 (2002).

[10] [10] J. J. Lee, L. J. Mawst, and D. Botez, J. Cryst. Growth 249, 100 (2003).

[11] [11] V. V. Bezotosnyi, V. V. Vasil'eva, D. A. Vinokurov, V. A. Kapitonov, O. N. Krokhin, A. Yu. Leshko, A. V. Lyutetskii, A. V. Murashova, T. A. Nalet, D. N. Nikolaev, N. A. Pikhtin, Yu. M. Popov, S. O. Slipchenko, A. L. Stankevich, N. V. Fetisova, V. V. Shamakhov, and I. S. Tarasov, Semiconductors 42, 350 (2008).

[12] [12] N. A. Pikhtin, S. O. Slipchenko, Z. N. Sokolova, A. L. Stankevich, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, and Z. I. Alferov, Electron. Lett. 40, 1413 (2004).

[13] [13] L. Lin, G. Liu, Z. Li, M. Li, X. Wang, H. Li, and H. Tan, Chin. Opt. Lett. 6, 268 (2008).

[14] [14] P. Li, L. Wang, S. Li, W. Xia, W. Zhang, Q. Tang, Z. Ren, and X. Xu, Chin. Opt. Lett. 7, 489 (2009).