[1] [1] A. Allen, "International Technology Roadmap For Semiconductors: Some Overview Highlights", http://mast-tech.com.tw/itrs jan08.pdf (2007).

[2] [2] R. Waser, R. Dittmann, G. Staikov, and K. Szot, Adv. Mate. 21, 2632 (2009).

[3] [3] S. Seo, M. J. Lee, D. H. Seo, E. J. Jeoung, D.-S. Suh, Y. S. Joung, I. K. Yoo, I. R. Hwang, S. H. Kim, I. S. Byun, J.-S. Kim, J. S. Choi, and B. H. Park, Appl. Phys. Lett. 85, 5655 (2004).

[4] [4] B. J. Choi, D. S. Jeong, S. K. Kim, C. Rohde, S. Choi, J. H. Oh, H. J. Kim, C. S. Hwang, K. Szot, R. Waser, B. Reichenberg, and S. Tiedke, J. Appl. Phys. 98, 033715 (2005).

[5] [5] K. M. Kim, B. J. Choi, B. W. Koo, S. Choi, D. S. Jeong, and C. S. Hwang, Electrochem. Solid-State Lett. 9, G343 (2006).

[6] [6] A. Chen, S. Haddad, Y.-C. Wu, T.-N. Fang, Z. Lan, S. Avanzino, S. Pangrle, M. Buynoski, M. Rathor, W. Cai, N. Tripsas, C. Bill, M. VanBuskirk, and M. Taguchi, in Proceedings of 2005 IEDM Tech. Digest. Electron Devices Meeting 746 (2005).

[7] [7] P. Zhou, M. Yin, H. J. Wan, H. B. Lu, T. A. Tang, and Y. Y. Lin, Appl. Phys. Lett. 94, 053510 (2009).

[8] [8] D. Lee, H. Choi, H. Sim, D. Choi, H. Hwang, M.-J. Lee, S.-A. Seo, and I. K. Yoo, IEEE Electron. Device Lett. 26, 719 (2005).

[9] [9] X. Wu, P. Zhou, J. Li, L. Y. Chen, H. B. Lv, Y. Y. Lin, and T. A. Tang, Appl. Phys. Lett. 90, 183507 (2007).

[10] [10] W. Guan, S. Long, R. Jia, and M. Liu, Appl. Phys. Lett. 91, 062111 (2007).

[11] [11] Q. Xiao, S. Shao, J. Shao, and Z. Fan, Chin. Opt. Lett. 7, 162 (2009).

[12] [12] Q. Liu, W. Guan, S. Long, M. Liu, S. Zhang, Q. Wang, and J. Chen, J. Appl. Phys. 104, 114514 (2008).

[13] [13] B. Sun, L.-F. Liu, D.-D. Han, Y. Wang, X.-Y. Liu, R.-Q. Han, and J.-F. Kang, Chin. Phys. Lett. 25, 2187 (2008).

[14] [14] W. Guan, S. Long, Q. Liu, M. Liu, and W. Wang, IEEE Electron. Device Lett. 29, 434 (2008).